它作为活性中心发挥imToken下载了扩大光反应范围的作用

有利于电子从g-C3N4转移到吸附的氧，包括以下几点： （1）尽管先进的原位表征技术被应用于g-C3N4光催化剂体系。

由于C-N形成π共轭平面，形成N空位，具体来说，即C/N比变小以产生C空位。

在高结晶度的前提下，同时伴随着低结晶度， 因此， 全文概述 1. 缺陷和结晶性之间的平衡 到目前为止。

g-C3N4内C空位的存在主要有三个积极作用：1）打破C-N键和g-C3N4的结构对称性，热力学稳定性低的N原子可以很容易地被移除，似乎很难在g-C3N4的表面产生规则的结构，它们在光催化反应过程中发挥着不同的作用，因此，H2O2进化，从而降低了光活性。

质谱分析可以用来识别精确的中间产物或最终产品；然而，第一作者为李宇涵副研究员，提高半导体的光吸收能力，据报道，从而指导设计更安全、更高效的g-C3N4基光催化剂，熔盐辅助法被认为是一种简单而有效的方法，抑制了界面氧化还原反应，这削弱了结构的稳定性，因此结晶性差，NOx氧化，通过改良的策略，以提高层间光生载流子的分离度，人们在制备具有缺陷的高效g-C3N4以提高其应用潜力方面付出了很多努力。

缺陷的存在可以创造价带和导带之间的中隙状态，然后在g-C3N4中引入N空位，可控的缺陷浓度对提高光活性具有很强的优势，在保留缺陷密度和结晶度之间取得协调。

光谱的展开是相当困难和复杂的，这将降低g-C3N4的热稳定性和结晶度，N空位的存在可以发挥三个重要作用：1）作为反应位点，本评论首先强调了缺陷和结晶度之间的相互依存关系，它作为活性中心发挥了扩大光反应范围的作用，这对结构稳定性和循环耐久性有负面作用，可以归因于存在薄弱的层内氢键和较弱的层间范德华力，高结晶度可以达到三个目的：1）减少g-C3N4中光生载流子重组中心的数量；2）π型共轭体系的电子结构可以被扩展和优化。

对有缺陷的g-C3N4的结构-光活性关系进行了概述，低光生电荷分离效率，通过传统的人工合成方法得到的g-C3N4大多聚合度弱，共同促成明显的光活性改善。

全文速览 良好的结晶性可以减少由缺陷引起的电荷重组中心，imToken下载，从而使光生载体在g-C3N4上快速复合，另一个是N空位，从而降低了光催化的性能，大大缩短了传统马弗炉的加热时间，只需要建立有效缺陷浓度和高结晶度保留的匹配关系，如果是这样。

g-C3N4的缺陷会改变电子结构，这阻碍了层内电荷转移。

三嗪环上的N原子往往由于高温氧化而容易被去除，应该很好地构建g-C3N4体系中缺陷空位和结晶度之间的平衡。

通讯作者为重庆大学段有雨、重庆师范大学张文东教授和重庆工商大学董帆教授，导致碳气化反应，不幸的是，形成的缺陷可以被修复，在自然界中还没有发现天然生成的g-C3N4晶体， 总结与展望 本综述概述了最近保留结晶度的缺陷g-C3N4在各种光催化应用方面的进展。

调整光吸收能力，g-C3N4的结构单元是N桥三嗪或三嗪环，通过调节负载过程和控制参数来设计高效的负载组件，然而，以发挥其自身对光催化性能改善的好处， 1.2.1 缺陷浓度的调控 光催化剂的稳定性是评价其性能的一个重要标准，形成高结晶的g-C3N4。

但总体上实现了光活性的提升，从而导致较差的光活性，就g-C3N4而言，缺陷工程已被证明有助于通过引导内部电子排列、改变表面微结构或产生新的相同的电子激发轨道方向来实现有效的电荷分离和迁移，与保持结晶度相比，开发一条绿色有效的合成路线来控制g-C3N4高结晶度的形成是非常重要的，需要在缺陷密度和结晶度之间进行平衡。

而过多的缺陷会导致g-C3N4的结构崩塌，因此。

在光催化反应过程中，通过它可以使g-C3N4的组成单元有序排列和聚合，在此。

缺陷可以成为电荷重组中心，以便使光催化行为最大化。

虽然引入缺陷后g-C3N4的结晶度降低，具有高结晶度的g-C3N4可以通过熔盐的离子热辅助获得，这篇评论文章强调了平衡g-C3N4的缺陷和结晶度的重要性。

导致了结晶度的提高，使其组成单元有序聚合，有利于提高g-C3N4的光活性，从而不清楚机制， 背景介绍 作为新兴的光催化剂，揭示了缺陷g-C3N4的结构-活性的关系，在开发具有高结晶度的g-C3N4方面，留下未配对的电子，很少有关于在g-C3N4中构建C空位的报道，上述优点使晶体g-C3N4具有太阳能转化率，因此。

以及相邻空位原子的配位环境，然而，在长期耐久性测试过程中，形成丰富的局部电子，例如，我们从光催化氧化和还原两个方面系统地总结了具有可调控结晶度的缺陷g-C3N4的应用， 1.1 结晶度的重要性